山口大学大学院創成科学研究科只友・岡田研究室

解説記事・著書

解説記事

1. 只友一行, “「高い光取出し効率を有する光半導体デバイスの開発と応用について」の回答書”, MATRRIAL STAGE Vol.12, No.11, p.38, 2013.
2. 岡田成仁，只友一行「マスクレスサファイア加工基板上非極性面窒化物半導体の結晶成長メカニズム」日本結晶成長学会誌Vol.38，No.4（2012）
3. 只友一行, 岡田成仁, 独立行政法人 日本学術振興会 プラズマ材料科学第153委員会 第99回研究会資料 pp. 1-8 (2010).
4. Narihito Okada and Kazuyuki Tadatomo "Characterization and growth mechanism of nonpolar and semipolar GaN layers grown on patterned sapphire substrates" Semiconductor Science and Technology Vol 27, pp024003 (2012)
5. 只友一行，岡田成仁「LED照明技術の動向」 電子材料　第49巻　第8号　pp. 10-16 (2010)
6. 只友一行，岡田成仁「サファイア基板上のGaN成長の新展開」応用物理　第79巻　第1号　pp. 59-63 (2010)
7. 只友一行，岡田成仁「サファイア基板上への新しい結晶成長技術　-照明用発光ダイオードの高効率化への取り組み-」応用電子物性分科会誌 15 (2009) 148.

著書

1. Tae-Yeon Seong et.al, III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications, Springer, 2013. Chapter 4 ”Epitaxy Part B. Epitaxial Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrate”.
2. 只友一行　3.5.1、3.5.2、5.2.4担当「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス（森北出版株式会社　高橋清監修）」　２００６年