研究テーマ
平成30年度
修士論文テーマ
- 池内 裕紀
- 「複数の周期を有するマスクを用いた高品質GaNの結晶成長」
- 江﨑建彌
- 「ハイドライド気相成長法におけるGa・N両極性GaNのファセット成長による転位低減および単一極性化に関する研究」
- 野島 康平
- 「逆メサ構造テンプレートを用いたGaN系薄膜LEDに関する研究」
- 藤本 怜
- 「ヘキサゴナルパターンを用いた高品質GaNのハイドライド気相成長」
- 森 阿紀子
- 「プラズモン効果を利用したGaN系LEDに関する検討」
平成29年度
修士論文テーマ
- 在田 直起
- 「GaN系電子デバイス応用を目指したGaN基板評価技術に関する検討」
- 石橋 直人
- 「ハイドライド気相成長法を用いたc面GaNの抵抗率制御に関する研究」
- 森下直起
- 「緩和した厚膜InGaNの成長とその評価」
- 行實孝太
- 「ハイドライド気相成長法を用いたc面GaNの欠陥低減に関する研究」
平成28年度
修士論文テーマ
- 板垣 憲広
- 「ICP-RIEを用いたGaNのメサエッチング技術と自立GaN基板作製への応用に関する研究」
- 井原 洋
- 「c面GaN基板の結晶格子の反り低減に関する研究」
- 河原 慎
- 「ハイドライド気相成長法による低転位GaN基板作製技術の研究」
- 永利 圭
- 「半極性GaNの結晶成長と欠陥低減技術に関する研究」
- 西平 貴則
- 「FeドープGaNテンプレート基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTに関する研究」
平成27年度
修士論文テーマ
- 岡村 泰仁
- 「サファイア加工基板上への{11-22} 面GaNの結晶成長と発光ダイオードの特性評価」
- 小山 正和
- 「III族窒化物半導体を用いた発光ダイオードに関する諸特性のシミュレーション解析」
- 塚田 哲朗
- 「局在プラズモンを用いたInGaN系LEDの作製と評価」
- 傳寶 裕晶
- 「ハイドライド気相成長法における極性面GaNの抵抗率制御に関する研究」
- 野口 優 弥
- 「GaN基板上のデバイス作製に向けたGaN基板の表面処理およびMOVPE成長条件に関する研究」
- 藤田達也
- 「CドープSI-GaNバッファを用いたGaN系HEMTの基礎研究」
平成26年度
修士論文テーマ
- 稲垣 卓志
- 「ハイドライド気相成長法における極性面・非極性面GaNの欠陥低減に関する研究～半極性 {20-21} 面GaNの欠陥低減～」
- 江上 卓也
- 「表面微細加工技術を用いた高品質GaNテンプレートの作製とGaNの厚膜ハイドライド気相成長への応用に関する研究」
- 中尾 洸太
- 「半極性 {11-22} GaN上の高効率発光ダイオードに関する研究」
- 山本 健志
- 「両面同時成長を用いたc面GaNの反り低減に関する研究」
平成25年度
修士論文テーマ
- 石川 明
- 「ワイドマスクを使った半極性面GaNの選択横方向成長の転位低減効果に関する研究ー応力により発生した欠陥の解析ー」
- 上野 元久
- 「ハイドライド気相成長法における非極性面GaNの欠陥低減機構-SiNx中間層の適用-」
- 弘田 雄太郎
- 「c面サファイア加工基板の作製技術の開発とその上に成長させたGaNの高品質化に関する研究」
- 安井 誠一
- 「発光ダイオードの微細周期構造と放射モードに関する理論的研究」
- Muhammad Haziq
- 「InGaN系発光ダイオードの構造最適化に関する研究〜ピット拡大層の検討〜」
平成24年度
修士論文テーマ
- 内田 健充
- 「r面サファイア加工基板上に作製した半極性 {11-22} 面LEDの高効率化に関する研究」
- 神田 敬浩
- 「FDTD法によるナノ構造サファイア加工基板を用いた発光ダイオードの光取り出し効率に関する解析的研究」
- 鶴岡 聖也
- 「GaNテンプレート基板上へのGaNのMOVPEによるホモエピタキシャル成長」
- 福田 雄介
- 「厚膜InGaNの成長と評価～半極性InGaN層の選択横方向成長～」
- 三好 清太
- 「ナノインプリントリソグラフィー技術とICP-RIEを用いたナノコラム形状サファイア加工基板の作製とLEDへの応用」
平成23年度
修士論文テーマ
- 内田 聡充
- 「屈折率制御したSiON膜を用いたInGaN系発光ダイオードの高効率化に関する研究」
- 大下 弘康
- 「サファイア加工基板上への非極性面GaNの結晶成長及び成長メカニズムに関する研究」
- 柏原 博之
- 「InGaN系発光ダイオードにおけるInGaN/GaN歪超格子に関する研究」
- 高見 成希
- 「{11-23}n面サファイア加工基板上への半極性{10-11}面GaNの結晶成長と発光ダイオードへの応用」
- 田渕 慎一
- 「非極性面GaNの電気的特性とHFETへの応用」
卒業論文テーマ
- Muhamad Haziq
- 「InGaN系発光ダイオード構造の有機金属気相成長における V ピットの発生機構と発光効率の改善に関する研究」
- 弘田 雄太郎
- 「SiOxNy系パッシベーション膜のプラズマ気相堆積法による成膜技術の開発と発光ダイオードへの応用」
- 陳 震
- 「サファイア加工基板の側壁から有機金属気相成長法により選択成長させた半極性面GaNの電気的特性の評価」
- 石川 明
- 「テラス幅の広いサファイア加工基板上への有機金属気相成長による半極性GaNの選択成長」
- 上野 元久
- 「ハイドライド気相成長技術の立ち上げとGaNの厚膜成長に関する研究」
平成22年度
修士論文テーマ
- 阿部結樹
- 「微細加工技術を用いた高効率IｎGaN系発光ダイオードへの応用に関する研究」
- 栗栖 彰宏
- 「r面サファイア加工基板上への半極性 {11-22} GaNの結晶成長と発光ダイオードへの応用」
- 品川 拓
- 「サファイア・ナノ加工技術を用いたInGaN系発光ダイオードの高効率化に関する研究」
- 宮武 敬彰
- 「マストランスポートを用いて平坦化したInGaN上に成長したMQWs層の評価」
卒業論文テーマ
- 内田健充
- 「r面サファイア加工基板上に成長した半極性 {11-22}面 GaN上のMQWsの評価」
- 鶴岡聖也
- 「GaNのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸の光学特性」
- 原野裕将
- 「塩素系エッチングガスを用いたICP-RIEによるサファイア加工基板の作製と評価」
- 福田雄介
- 「コーン形状サファイア加工基板上GaNの成長メカニズム」
- 三好清太
- 「コーン形状サファイア加工基板を用いた発光ダイオードの作製と評価」
平成21年度
修士論文テーマ
- 藤田大輔
- 「GaN側壁またはファセットからのInGaN厚膜成長およびマストランスポートを用いた平坦化技術の研究」
- 川嶋 佑治
- 「a面サファイア加工基板のc面側壁からの選択横方向成長技術を用いたm面GaN成長の研究」
- 趙佳薇
- 「有機金属気相成長を用いたナノコーンを有したサファイア加工基板へのGaN成長と高効率発光ダイオードへの応用」
- 松本 大志
- 「InGaN 発光ダイオードの高効率化の研究－SiO2マスク付きストライプ型サファイア加工基板を用いた高出力 InGaN LEDの作製－」
- 村上 一馬
- 「ランダムパターンの加工基板作製技術の確立および高効率発光ダイオードへの応用に関する研究」
- 李 伯成
- 「有機金属気相成長法により作製したInGaN系系発光ダイオードの高効率化に関する研究」
卒業論文テーマ
- 内田 聡充
- 「ストライプ型AlN付き加工基板の作製とGaN結晶成長」
- 大下 弘康
- 「m面サファイア加工基板上への無極性a面GaNの成長」
- 柏原博之
- 「InGaN系緑色LEDに関する研究」
- 金山真司
- 「厚膜SiOxNyマスクを用いたInGaN-LEDの光取り出し効率に及ぼすマスク層の屈折率依存性」
- 髙見 成希
- 「n面サファイア加工基板上への半極性 {1011} 面GaN選択横方向成長」
- 田渕 慎一
- 「ノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMT作製におけるAlGaN/GaN界面および電極の評価」
平成20年度
修士論文テーマ
- 石田 文男
- 「円形パターンを有する加工基板の作製および高効率発光ダイオードへの応用に関する研究」
- 河野 創一郎
- 「微細加工技術を用いた光取り出し効率の向上および高効率近紫外発光ダイオードへの応用に関する研究」
- 光井 靖智
- 「スパッタリングにより作製した酸化インジウム錫透明電極の高効率発光ダイオードへの応用に関する研究」
- 村田 徹
- 「有機金属気相成長による様々なc面サファイア基板上への結晶成長及び高効率発光ダイオードの作製」
- 南 雅博
- 有機金属気相成長法によるｒ面サファイア加工基板上の無極性面及び半極性面のGaN成長
卒業論文テーマ
- 阿部 結樹
- 「凸部の表面がSiO2で覆われた加工基板の作製と発光ダイオードへの応用」
- 栗栖 彰宏
- 「ｒ面サファイア加工基板上への半極性(11-22)面GaNの結晶成長」
- 品川 拓
- 「円形パターン加工基板を用いた発光ダイオードの作製」
- 宮武 敬彰
- 「ストライプ状に加工したGaNの側壁からのInGaN成長」
平成19年度
修士論文テーマ
- 中村 晃子
- 「有機金属気相エピタキシャル法による窒化物半導体の結晶成長における基礎的検討と選択横方向成長技術を用いた高効率発光ダイオードの作製～ＳｉＯ2パターンを形成したサファイア基板上への選択横方向成長～」
卒業論文テーマ
- 藤田大輔
- 「a面サファイア基板上に作製したc面InGaN系発光ダイオードの研究 - 低温バッファ層の成長条件最適化 -」
- 松本大志
- 「スパッタリング法によるITO透明電極の作製技術の開発および発光ダイオードへの応用
- 李 伯成
- 「電子ビーム蒸着法による自己組織化透明ITO電極の研究」
- 村上 一馬
- サファイア加工基板上へのGaNの結晶成長技術～加工基板のストライプ幅依存性～」
- 松永 泰彦
- 「サファイア加工基板上に作製したLEDのストライプ周期依存性」
- 村山 悟
- 「サファイア加工基板上に作製した発光ダイオードのFDTD 法によるシミュレーション解析」
- 川嶋 佑治
- 「SiO2マスクを形成したc面サファイア基板上へのGaN結晶の選択横方向成長技術の開発と発光ダイオードへの応用」
平成18年度
修士論文テーマ
- 下池 修
- 「InGaN-MQWの結晶成長と近紫外発光ダイオードへの応用」
- 野田 宏路
- 「低コンタクト抵抗の電極形成と高効率発光ダイオードへの応用」
- 平岡 正紘
- 「サファイア微細加工技術と高効率近紫外LEDへの応用に関する研究」
- 平岡 正紘
持溝 典昭 - 「MOVPEによりr面サファイア基板上に結晶成長させた無極性a面GaNの研究」
- 柳田 直人
- 「MOVPEによるc面サファイア基板上窒化物半導体結晶の高品質化に関する研究」
卒業論文テーマ
- 石田 文男
- 「電子ビーム蒸着による酸化インジウム錫（ITO)透明電極の作製および評価）」
- 河野 創一郎
- 「サファイア加工基板を用いた発光ダイオードの作製」
- 日和佐 裕
- 「高効率近紫外LEDのための多重量子井戸構造の作製」
- 堀口 智宏
- 「誘導結合プラズマRIEによるサファイア加工技術の研究」
- 光井 靖智
- 「スパッタリング技術を用いたITO薄膜の作製及びp型電極への応用」
- 南 雅博
- 「MOVPE成長無極性a面GaNにおけるr面サファイア基板のオフ角依存性の研究」
- 村田 徹
- 「MOVPE成長IｎGaNにおける(0001)サファイア基板のオフ角依存性とLEDへの応用」
平成17年度
卒業論文テーマ
- 尾関 慶一
- 「(0001)面サファイア基板上への高品質GaNのMOVPE成長」
- 神野 紘隆
- 「高輝度近紫外LEDのための多重量子井戸（MQWｓ）構造の最適化」
- 河野 晋希
- 「GaNのドライエッチングプロセスの確立とInGaN-LEDへの応用」
- 谷川 真悟
- 「n-GaN、p-GaNの成長条件最適化」
- 中村 晃子
- 「MOVPE法によるInGaN系混晶薄膜成長と多重量子井戸構造の作製」
- 松本 祥吾
- 「RIE法によるサファイア加工基板の作製と評価」
- 吉岡 和彦
- 「フォトリソグラフィー技術を用いた電極作製と評価」
平成16年度
卒業論文テーマ
- 秋田 直哉
- 「近紫外LED励起三波長蛍光体型白色LEDの量子効率の研究」
- 喜多 勇介
- 「近紫外LED励起三波長蛍光体型白色LEDとイルミネーションの作製」
- 下池 修
- 「窒化物半導体のCL評価」
- 野田 宏路
- 「励起用近紫外LEDの電気光学特性評価」
- 平岡 正紘
- 「窒化物半導体のX線回折評価法の標準化とそのベンチマーク」
- 持溝 典昭
- 「窒化物半導体の電気伝導特性の温度依存性とそのベンチマーク」
- 柳田 直人
- 「窒化物半導体のSPM評価とそのベンチマーク」