山口大学大学院創成科学研究科山田・岡田・倉井研究室

ABOUT概要

本研究室では、GaNに代表されるⅢ族窒化物半導体を使った緑色～紫外線領域の光を発する発光ダイオード（LED）・レーザー（LD)、超高速動作を可能にする高電子移動度トランジスタ（HEMT）を研究ターゲットにしています。じっくりと基礎理論と技術体系を学び、窒化物半導体の結晶成長技術、エッチング加工技術、電極技術、デバイス設計技術などの最先端の光半導体デバイス技術の体系的な研究に没頭できる環境を整えています。「知的好奇心」も「実用性」へのこだわりも十分に満足させ、次世代の“電子立国日本”を支える人財を輩出している研究室です。