採択中プロジェクト
NEDO未踏チャレンジ2050
概要
融合により、伝導性制御が困難なAINを用いた半導体パワーデバイスの可能性を示すことを最終目的とします。具体的には、まず大面積・高品質AINの成長技術を確立し、電子デバイスに応用可能な平坦性の優れた低転位密度AIN結晶を実現します。続いて、新規ヘテロ接合型デバイス構造を有する素子を作製し、高耐圧・大電流・高速のAINパワーデバイスを実証します。
NEDO高輝度・高効率次世代レーザー技術開発
概要
レーザーは、世界的に次世代ものづくり産業技術の中核として期待されており、今後も市場の拡大が見込まれます。
本プロジェクトでは、これまでにない高輝度（高出力・高ビーム品質）かつ高効率なレーザー技術の開発を目標とし、「高品位レーザー加工技術の開発」、「高出力レーザーによる加工技術の開発」、「次世代レーザー及び加工の共通基盤技術開発」の3つの研究開発項目について、産学官の連携体制で体系的に開発を実施します。また、「次々世代加工に向けた新規光源・要素技術開発」では、将来のレーザー加工技術に資する新しいレーザー構造創出や波長域開拓に向けて、日本が強い半導体レーザーダイオード技術を始めとする光源基盤技術・周辺要素技術の開発を実施し、加工をはじめとする幅広い応用を探ります。
文部科学省 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
概要
本事業では、「GaN等の次世代半導体に関して、材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより、実用化に向けた研究開発を加速すること」を目的としています。次世代半導体の実用化の加速による省エネルギー社会の早期実現に加えて、世界に先駆けた次世代半導体の市場投入による産業競争力の強化を目指すものです。