研究設備
発光ダイオード（LED）の元となる窒化物半導体薄膜の作製する装置。
ケルビンフォース顕微鏡（KFM）
作製した半導体薄膜表面を原子オーダーで評価
表面電位を測定
LED用の電極パターン、サファイア加工基板用パターンを転写する。
半導体をサブミクロンオーダーで加工
酸素プラズマを利用して、有機系不純物を除去
電極用金属をナノオーダーで蒸着
ガスイオンをターゲットに衝突させ、SiO2やITO透明電極を半導体に堆積させることができる。
蒸着した電極材料を急速に熱処理
作製した半導体試料の発光特性の面内均一性を測定可能
X線を用いて試料の結晶品質等を評価可能。アップグレードし、逆格子空間マッピングも1時間ほどでとれるPIXcel検出器を導入。
極低温でのPL測定が可能。
作製したLEDの外部量子効率を測定
作製したLEDの電気的特性を評価
作製した半導体試料の電気的特性を評価
主に窒化物半導体の結晶成長に用いるＨＶＰＥ装置である。大型設備として本体の他、各種ガスボンベを収めるシリンダーキャビネット、コンプレッサー、除害装置、ガス検知システムを備える。III族およびV族原料として、それぞれ金属原料（Ga, In）、アンモニアを用いる。加熱機構は1200℃まで可能であり、窒化物の成長に必要とされる温度域を十分カバーする。
【特 徴】
6インチ基板対応の大型ＨＶＰE装置である。
数十nm～数百nmの高さ及び周期を有する凹凸形状の金型又はレプリカを、基板上に塗布した樹脂材料に押し付けて形状を転写する。基板材料を選ばず、６インチまでの基板に対応している。6インチ以下であれば異形ウエハも利用できる。転写させる機能として熱及びＵＶ照射の両方に対応可能である。
【特 徴】
ピラー形状、ドット形状、六角柱形状、ストライプ形状など多様なパターニングができる。基板搬送からパターニングまで自動化されている。
LEDチップ化、GaN自立基板作製のための基板研削装置。基板サイズは4インチ以下であれば異形ウエハの装着も可能。 μmオーダーの膜厚制御が可能。
LEDチップ化、GaN自立基板作製のための基板研削装置。スクライブ前の鏡面仕上げに使用する。
シリカとリン酸系エッチャントを用いて、化学機械研磨をおこなう。回転数、時間、荷重を設定する。サンプルとステージの両方に回転機構を備えており、均一な研磨をおこなうことができる。
【特 徴】
エッチャントおよび研磨材を自動供給する機構を備える。
光学顕微鏡で位置合わせを正確に行うことができる。設定したスピート、圧力、ピッチ、回数、食い込み量、距離でスクライブすることができる。ステージは、回転、Ｘ－Ｙ方向の移動をすることが可能で、任意の場所をスクライブすることができる。
レジスト, GaN層, SiO2などの膜厚の測定を行う。測定範囲: 15nm～70μm。光源および検出器にはそれぞれハロゲンランプ、920素子Siアレイを用いている。基本的な操作は付属のPCを用いて行う。専用ソフトウェアでは、100以上の豊富なマテリアルライブラリーから対象の材料の屈折率、消衰係数などを選択することができる。測定自体は数秒で完了する。
【特 徴】
非接触の膜厚測定を簡易的に行うことができる。誘電体や半導体棟の屈折率、消衰係数を測定することができる。（とても荒い面や、不透明な材料は除く）たとえば、酸化膜、窒化膜、レジスト、ポリシリコンなどに実績を持つ。
レジストのコーティングとベーキング及び現像を行うことができる装置。最大6インチまでの基板の処理が可能。
