山口大学大学院創成科学研究科只友・岡田研究室

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招待講演

  1. Narihito Okada, Keisuke Yamane, Tohoru Matsubara, Shin Goubara, Hiroshi Ihara, Kota Yukizane, Tatsuya Ezak1i, Satoru Fujimoto, Ryo Inomoto, Kazuyuki Tadatomo “HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects”, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Strasbourg Convention and Exhibition Centre, Strasbourg, France, July 23-28, 2017. (July 24, 2017) A 1.1 (Invited oral presentation)
  2. K. Tadatomo and N. Okada “Growth of Semipolar GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy on Patterned Sapphire Substrate” CLEO-PR 2015 BEXCO, Busan, Korea 24 Aug 2015 - 28 Aug 2015. (Invited oral presentation)
  3. K. Tadatomo, N. Okada, and K. Yamane “Fabrication of semipolar free standing GaN Substrate”, German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices 2015, Kyoto, Japan, July 12-14, 2015. (July 13, 2015) Abstracts p. 21. (Invited oral presentation)
  4. K. Tadatomo K. Yamane, N. Okada, “Free standing GaN substrate grown on patterned sapphire substrate”, PolarCoN Summer Seminar 2014, Bensheim, Germany, September 24-26, 2014. (Invited oral presentation)
  5. K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, Y. Hashimoto, “Advancement in Future Applications with III-Nitrides by Fusion Technology between Epitaxy and Processing”, International Workshop on Ultra-Precision Processing for III Nitride Semiconductor and Devices (WUPP for Nitride), Santa Barbara, California, USA. Oct. 16-18, 2013. (Invited oral presentation)
  6. Y. Hashimoto, M. Koyama, T. Inagaki, K. Yamane, N. Okada, K. Tadatomo, “Evaluation of Heteroepitaxially Grown Semipolar {20-21}GaN on Patterned Sapphire Substrate” International Symposium on Optomechatronic Technologies 2013 (ISOT2013), Ramada Plaza Jeju Hotel, Jeju Island, Korea, Oct. 28-30, 2013. (Invited oral Presentation)
  7. N. Okada, H. Furuya, Y. Hashimoto, K. Yamane, K. Tadatomo, “Hydride vapor phase epitaxy of semipolar GaN using GaN templates grown on patterned sapphire substrates”, 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), Kloster Seeon, Bavaria, Germany, Sept. 30-Oct. 5, 2013. (Invited oral presentation)
  8. K. Yamane, Y. Hashimoto, N. Okada, K. Tadatomo, “Improvement on Flatness of GaN Layer and Utilization Efficiency of Ga Source by Flow Modulation on Hydride Vapor Phase Epitaxy”, 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), Kloster Seeon, Bavaria, Germany, Sept. 30-Oct. 5, 2013. (Invited oral presentation)
  9. N. Okada, K. Yamane, K. Tadatomo, “Progress in semipolar GaN on patterned sapphire substrates by HVPE”, JSAP-OSA Joint Symposia 2013, 17p-M6-2, Doshisya University, Kyoto, Japan, Sept. 16-18, 2013. (Invited oral presentation)
  10. K. Tadatomo, K. Yamane, N. Okada, H. Furuya, and Y. Hashimoto “Semipolar GaN substrate grown on patterned sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy” DPG Spring Meeting Deutschen Physikalischen Gesellschaft (Germany, Regensburg: Regensburug University) 　2013.3.10
  11. K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya, and Y. Hashimoto “Semipolar GaN Growth on Patterned Sapphire Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy”　SPIE, Photonics West 2013　SPIE (the international society for optics and photonics) Paper No.8625-2 (USA, California: Mscone Center) 2013.2.2
  12. K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya “Growth of free standing Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy” Intensive Discussion on Crystal Growth of Nitride Semiconductors　(Sendai:Tohoku University) 2012.10.22
  13. K. Tadatomo, N. Okada, K. Yamane, H. Furuya　 “Growth of Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy” 2012 German-Japan-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices（Germany, Berlin：Japanese-German Center Berlin）2012.7.21
  14. 只友一行、岡田成仁、山根啓輔 「ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長」第137回 結晶工学分科会研究会応用物理学会（京都市：京都テルサ）2012/6/15
  15. 岡田成仁「非極性面LEDの現状と課題」固体光源分科会、視覚・色・光環境分科会 公開研究会「照明用LEDの開発と応用の最新技術動向」(2013.1.17) 日本大学理工学部，東京都
  16. 岡田成仁, 上野元久, 内田健充，古家大士, 山根啓輔, 只友一行：「ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化メカニズム」（講演奨励賞受賞記念講演）平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会， 12p-H9-8 (2012.9.12) 愛媛大学，愛媛県
  17. 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔：「ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長」第137回結晶工学分科会研究会 (2012.6.15), 京都テルサ，京都.
  18. 只友一行, 岡田成仁「サファイア加工基板を用いた非極性面GaN成長とその成長機構」第146回KASTECセミナー (2010.12.16) 九州大学 産学連携センター, 福岡県
  19. 只友一行，岡田成仁「窒化物半導体材料とプラズマ加工」（独）日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会 第99回研究会，(2010.11.19) 福山市，広島県
  20. 岡田成仁，大下弘康，高見成希，栗栖彰宏，只友一行:　「サファイア加工基板を用いた非極性面GaN成長とその成長機構」窒化物結晶成長講演会2010，(2010.5.15) 三重大学，三重県
  21. 只友一行, 岡田成仁「青色～紫外発光素子材料の窒化ガリウム（GaN）結晶の成長プロセス」第138回KASTECセミナー（2009.12.18），九州大学 産学連携センター, 福岡県
  22. 只友一行, 岡田成仁, 川嶋佑治, 栗栖彰宏, 南雅博, 村上一馬, 河野創一郎「サファイア加工基板を使った非極性面GaNのMOVPE成長」日本学術振興会161委員会／162委員会合同研究会 (2009.3.13-14) 鳥羽シーサイドホテル, 三重県
  23. 只友一行, 岡田成仁「サファイア基板上への新しい結晶成長技術　-照明用発光ダイオードの高効率化への取り組み-」応用電子物性分科会研究会（2009.11.6） 機械振興会館,東京都
  24. H. Mangyou, Y. Kobayashi, H. Ono, K. Ikenaga, Y. Yano, K. Matsumoto, N. Okada, F. Ishida, Y. Mitsui, K. Tadatomo, “Effect of moisture contamination in NH3 on the light output of InGaN LED” 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices, Guangzhou China (Nov. 2008)