山口大学大学院創成科学研究科只友・岡田研究室

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国内会議

2018年

  1. 江﨑建彌, 重藤祐輔, 岡田成仁, 只友一行「HVPE法におけるGa・N両極性を用いたGaNのファセット成長による低転位化《第65回応用物理学会春季学術講演会，18a-E202-5，2018.3.17-20，早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都
  2. 金輝俊, 池内裕紀, 井本良, 岡田成仁, 只友一行「ハイライド気相成長法によるストライプマスクのオフ角がGaNのファセット形状および結晶品質に与える影響《第65回応用物理学会春季学術講演会，18a-E202-6，2018.3.17-20，早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都
  3. 猪股祐貴, 森下直起, 板倉秀之, 藤本怜, 岡田成仁, 只友一行「緩和した厚膜InGaNの成長とその評価II《第65回応用物理学会春季学術講演会，17p-E202-12，2018.3.17-20，早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都
  4. 佐川 達郎, 中村 昌幸, 小林 貴之, 幸 康一郎, 井本 良, 岡田 成仁, 立田 利明, 只友 一行, 本山 愼一「Atomic Layer Deposition(ALD)による中空構造の応用《第65回応用物理学会春季学術講演会，17a-B301-10，2018.3.17-20，早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都
  5. 渋谷 和憲, 米田 歩, 橋口 勇樹, 三好 博之, 倉井聡, 室谷 英彰, 岡田 成仁, 只友 一行, 山田 陽一「InGaN系青色LED構造における効率曲線の励起子レート方程式モデルによる解析《第65回応用物理学会春季学術講演会，19a-E202-9，2018.3.17-20，早稲田大学西早稲田キャンパス, 東京都
  6. 江崎 建弥、重藤 祐輔、岡田 成仁、只友 一行「HVPE法を用いたGa・N両極性GaNの単一極性化《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，21p-146-1，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県
  7. 野島 康平、金子 拓司、井本 良、岡田 成仁、只友 一行「逆メサ構造テンプレート上 GaN系薄膜LEDの検討《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，20a-146-10，2018.9.18-21，
  8. 倉井 聡、大川 康平、槇尾 凌我、高 俊吉、野畑 元喜、岡田 成仁、只友 一行、山田 陽一「中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，19a-146-9，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県
  9. 猪股 祐貴、河村 澪、中島 慎太郎、板倉 秀之、藤本 怜、池内 裕紀、岡田 成仁、只友 一行「緩和した厚膜InGaNの成長とその評価 ３《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，20a-146-3，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県
  10. 金 輝俊、斉藤 貴大、藤川 紗知恵、前田 哲利、岡田 成仁、平山 秀樹、只友 一行「AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，19p-146-13，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県
  11. 姚 永昭、菅原 義弘、石川 由加里、岡田 成仁、井本 良、只友 一行、高橋 由美子、平野 馨一「放射光X線トポグラフィによるPVT法AlN単結晶基板の転位評価《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，19p-PA4-2，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県
  12. 青合 充樹、鈴木 孝介、アスバル ジョエル、徳田 博邦、岡田 成仁、只友 一行、葛原 正明「Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価《2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会，21a-331-1，2018.9.18-21，吊古屋国際会議場，愛知県

2017年

  1. 西平貴則, 在田直起, 杉本浩平, 井本良, 岡田成仁, 只友一行「ハイドライド気相成長法におけるFeドープGaNテンプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTのFe濃度依存性《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，15p-315-3，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  2. 松原 徹, 杉本 浩平, 河原 慎， 井本 良, 岡田 成仁, 只友 一行「GaN層中の傾斜した貫通転位芯構造の解析《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，15p-503-16，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  3. 倉井聡, 檜垣翔大, 岡田成仁, 只友一行, 山田 陽一「局所カソードルミネッセンスによるInGaN 量子井戸構造のポテンシャル障壁評価《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，17a-503-7，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  4. 行實孝太, 河原 慎, 藤本 怜 松原 徹, 井本 良, 岡田成仁, 只友一行「HVPE法によるファセット制御を用いたGaN成長のマスクパターン依存性《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，17a-503-10，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  5. 在田 直起，松原 徹，行實 孝太，井本 良, 岡田 成仁，只友 一行「HVPEによるファセット制御成長を行ったGaNの転位種の評価《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，17a-503-11，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  6. 板垣憲広, 野島康平, 石橋直人, 井本良, 岡田成仁, 西宮智靖, 松尾文晴, 只友一行「逆メサ加工GaNテンプレートを用いた自立GaN基板作製《2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会，17a-503-12，2017.3.14-17，パシフィコ横浜，神奈川県
  7. 松原徹，正田薫，岡田成仁，只友一行「GaNにおける結晶欠陥の原子スケールでの解析《微細構造解析プラットフォーム・構造解析連絡協議会合同セミナー，，2017.8.29，科学技術振興機構(JST) 東京本部別館大会議室，東京都
  8. 倉井聡, 三原練磨, 野畑元喜, 大川康平, 槇尾凌我, 岡田成仁, 只友一行,矢野良樹, 田渕俊也, 松本功, 山田 陽一「近接場光学顕微分光測定による緑色発光InGaN 量子井戸構造の高エネルギー発光成分の評価(2)《2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会，5a-A301-8，2017.9.5-8，福岡国際会議場，福岡県
  9. 江崎建弥, 重藤祐輔, 岡田 成仁, 只友 一行「ハイドライド気相成長法におけるGa・N両極性を有するGaNのファセット成長《2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会，6a-A301-2，2017.9.5-8，福岡国際会議場，福岡県
  10. 池内裕紀, 石橋直人, 行實孝太, 江崎建弥, 野島康平, 藤本怜, 井本良, 岡田成仁, 只友 一行「ハイドライド気相成長法による広い開口部幅を有するマスクを用いたGaNの選択成長の成長条件依存性《2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会，6a-A301-3，2017.9.5-8，福岡国際会議場，福岡県
  11. 森下直起, 岡田成仁, 只友一行「緩和した厚膜InGaNの成長とその評価《2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会，8a-A301-7，2017.9.5-8，福岡国際会議場，福岡県
  12. 岡田成仁, 只友一行「HVPEによるGaNの選択成長と高品位GaNの作製《第46回結晶成長国内会議 (JCCG-46)，27a-C03，2017.11.27-29，ホテルコンコルド浜松, 静岡県

2016年

  1. 石橋直人，板垣憲広，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法におけるサファイア加工基板を用いた自立GaN基板の自発分離技術《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，19a-H121-3，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  2. 河原慎，行實孝太，松原徹，板垣憲広，岡田成仁，山根啓輔，只友一行「ハイドライド気相成長におけるGaN選択成長のファセット形状のストライプマスク周期依存性《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，19a-H121-4，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  3. 傳寶裕晶，西平貴則，山根啓輔，岡田成仁，葛原正明，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いたFe ドープGaNの成長《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，19a-H121-5，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  4. 杉本浩平，岡田成仁，只友一行「InGaN/GaN超格子がInGaN 系発光ダイオードの発光特性に及ぼす効果の分離検討《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，20a-H121-4，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  5. 横川俊哉，山本雄大，栫拓也，西平貴則，岡田成仁，只友一行「貫通転位の絶縁膜/GaN 界面への影響評価《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，20p-H121-4，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  6. 松原徹，杉本浩平，河原慎，岡田成仁，只友一行「TEMによるGaN層中の転位芯における原子位置解析《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，20p-H113-9，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  7. 板垣憲広，永利圭，岡田成仁，井本良，西宮智晴，松尾文晴，只友一行「誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたGaNの逆メサ加工《2016年春季第63回応用物理学会学術講演会，20p-H121-24，2016.3.19-22，東京工業大学大岡山キャンパス，東京都
  8. 行實 孝太，河原 慎，岡田 成仁，只友 一行「ハイドライド気相成長法における GaN ファセット形状と転位挙動《第8回窒化物半導体結晶成長講演会，Tu-8，2016.5.9-10，京都大学ローム記念館，京都府
  9. 岡田成仁，行實孝大，河原慎，松原徹，只友一行「HVPE法におけるファセット成長を介した埋め込み成長の全面低転位化機構《第8回窒化物半導体結晶成長講演会，Mo-16，2016.5.9-10，京都大学ローム記念館，京都府
  10. 江崎建弥，在田直起，行實孝太，河原慎，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法におけるSiO2マスクを用いたGaNファセット制御による転位低減《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Ep-6，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  11. 森下直起，永利圭，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法における{10-11}面GaNの平坦化とそのメカニズムに関する研究《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Ep-7，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  12. 野島康平，石橋直人，板垣憲広，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法におけるサファイア加工基板を用いた自立GaN基板の自発分離技術《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Ep-12，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  13. 在田直起，行實孝太，河原慎，岡田成仁，只友一行「WETエッチング法を用いたGaNの欠陥の評価《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Fa-7，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  14. 藤本怜，河原慎，行實孝大，岡田成仁，只友一行「HVPE法におけるファセット制御によるGaNの転位挙動《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Fa-8，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  15. 米田歩，田中勇介，久永桂典，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造におけるアニール処理の発光ダイナミクスへの影響《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Fa-9，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  16. 野畑元喜，三原練磨，大川康平，倉井聡，岡田成仁，只友一行，矢野良樹，田渕俊也，松本功，山田陽一「緑色発光InGaN量子井戸構造に局所的に現れる高エネルギー側発光成分の評価《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Fa-10，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  17. 渋谷和憲，田中勇介，久永桂典，倉井聡，岡田成仁，只友一行，矢野良樹，田渕俊也，松本功，山田陽一「青色緑色発光InGaN量子井戸構造における発光ダイナミクス《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Gp-6，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  18. 池内裕紀，井原洋，岡田成仁，只友一行「HVPE法における高品質厚膜GaNの成長条件検討《2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Gp-8，2016.7.31，岡山大学津島キャンパス，岡山県
  19. 倉井聡，三原練磨，野畑元喜，大川康平，岡田成仁，只友一行，矢野良樹，田渕俊也，松本功，山田陽一「近接場光学顕微分光測定による青色・緑色発光InGaN 量子井戸構造の評価《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，14a-A21-4，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  20. 松原徹，杉本浩平，河原慎，岡田成仁，只友一行「STEM によるGaN 層中の貫通転位芯の解析《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，14p-A21-7，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  21. 松原徹，河原慎，行實孝太，井本良，岡田成仁，只友一行「ファセット制御ハイドライド気相成長法により作製したGaNにおける転位密度の可視化《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，13p-A21-11，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  22. 行實孝太，河原慎，在田直起，松原徹，井本良，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いた全面低転位GaN 基板の作製《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，13p-A21-12，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  23. 河原慎，行實孝太，松原徹，板垣憲広，井本良，岡田成仁，只友一行「HVPE 法によるGaN の選択成長におけるマスク幅依存性とファセット形成メカニズム《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，13p-A21-13，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  24. 姚永昭，石川由加里，菅原義弘，横江大作，須藤正喜，岡田成仁，只友一行「エッチピット法によるHVPE-GaN の転位検出と分類《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，13p-A21-14，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  25. 板垣憲広，永利圭，井本良，岡田成仁，西宮智靖，松尾文晴，只友一行「逆メサ加工GaN テンプレートを用いたGaN の選択成長《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，15p-A21-10，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  26. 杉本浩平，井本良，岡田成仁，只友一行「TMG 中の酸素濃度がGaN に与える影響《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，16a-A21-8，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県
  27. 永利圭，板垣憲広，井本良，岡田成仁，西宮智靖，松尾文晴，只友一行「化学的活性条件でのICP-RIE による半極性面GaN のエッチング形状《2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会，16a-A21-10，2016.9.13-16，朱鷺メッセ，新潟県

2015年

  1. 只友一行, 岡田成仁，山根啓輔，河原慎，井本良「ハイドライド気相成長法によるGaN厚膜結晶の成長《第一回「各種SiC結晶成長法における高品質化とその応用《研究会，，2015.07.23，吊古屋大学，吊古屋市，愛知県
  2. 只友一行，岡田成仁，山根啓輔「HVPEによるGaN非極性基板作製《日本学術振興会 第162委員会 第94回研究会「窒化物半導体基板の進展と今後の展望《，，2015.07.24，主婦会館プラザエフ，東京都
  3. 姚永昭，石川由加里，菅原義弘，横江大作，須藤正喜，岡田成仁，只友一行「KOH+Na2O2 溶融エッチング法によるHVPE-GaN 単結晶の転位検出と分類，およびCL マッピングとの比較《日本表面科学会第35回表面科学学術講演会ならびに日本真空学会第56回真空に関する連合講演会，1Fa07Y，2015.12.1-3，つくば国際会議場，茨城県
  4. 河原慎，山本健志，稲垣卓志，岡田成仁，只友一行，山根啓輔「ハイドライド気相成長におけるSiO2マスクの品質がGaNの選択横方向成長に及ぼす影響《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，11p-B1-4，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  5. 稲垣卓志，岡村泰仁，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いて堆積させたSiNx中間層上への厚膜GaN成長《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，11p-B1-5，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  6. 山本健志，井原洋，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いた両面成長によるGaNテンプレートの反り低減《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，11p-B1-6，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  7. 杉本浩平，岡田成仁，山田陽一，只友一行「Vピット上に形成されたポテンシャルバリアを有するInGaN系発光ダイオードの光学的特性《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，12a-B1-11，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  8. 杉本浩平，岡田成仁，山田陽一，只友一行「Vピット上に形成されたポテンシャルバリアを有するInGaN系発光ダイオードの電気的特性《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，12a-B1-12，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  9. 松原徹，杉本浩平，岡田成仁，只友一行「サファイア基板上に低温成長したGaNバッファ層のTEM評価《2015年春季第62回応用物理学会学術講演会，12p-B1-22，2015.3.11-14，東海大学湘南キャンパス，神奈川県
  10. 只友一行，岡田成仁，山根啓輔，古家大士，橋本健宏「半極性自立GaN基板の作製《日本結晶成長学会 ナノエピ分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会，T-Fr-2，2015.5.7-8，東北大学, 仙台市, 宮城県
  11. 行實孝太，藤田達也，岡田成仁，只友一行「サファイア側壁からの選択横方向成長技術を用いたm面GaN成長《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Ba-2，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  12. 亀山萌，傳寶裕晶，井原洋，河原慎，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長によるSiNナノマスクを用いたサファイア基板上へのGaNのダイレクト成長《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Ba-3，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  13. 在田直起，野口優弥，藤田達也，西平貴則，岡田成仁，只友一行，横川俊哉「AlGaN/GaN HEMTのゲート-ドレイン間の距離による耐圧の変化《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Ba-4，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  14. 西平貴則，岡田成仁，井本良，横川俊哉，杉本浩平，只友一行「SI-GaN層を用いたAlGaN/GaN HEMTにおける2DEGの影響《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Ca-4，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  15. 田中勇介，渋谷和憲，長坂智幸，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造における内部量子効率と発光ダイナミクス《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Cp-8，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  16. 三原練磨，野畑元喜，立山裕基，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「In組成比の異なるInGaN量子井戸構造の近接場光顕微分光《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Cp-9，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  17. 永利圭，岡村泰仁，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板上への半極性{20-2-1}GaNの成長《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Da-7，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  18. 森下直起，永利圭，岡村泰仁，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板の構造が{10-11}GaNの選択成長に与える影響《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Da-8，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  19. 石橋直人，板垣憲広，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板を用いたGaNの選択成長《2015年度応用物理・物理系学会 中四国支部合同学術講演会，Da-9，2015.8.1，徳島大学，徳島県
  20. 河原慎，井原洋，傳寶裕晶，岡田成仁，山根啓輔，只友 一行「ハイドライド気相成長法におけるGaNファセット制御《2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会，13p-1D-6，2015.9.13-16，吊古屋国際会議場，愛知県
  21. 板垣憲広，河原慎，山根啓輔，岡田成仁，井本良，本山慎一，小林貴之，只友一行「PECVD法により成膜したSiO2マスクの品質がHVPE成長におけるGaNの選択成長に与える影響《2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会，13p-1D-7，2015.9.13-16，吊古屋国際会議場，愛知県
  22. 内山星郎，竹内正太郎，荒内琢士，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，今井康彦，木村滋，只友一行，酒井朗「X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価《2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会，13p-1D-8，2015.9.13-16，吊古屋国際会議場，愛知県
  23. Y. Yao，Y. Ishikawa，Y. Sugawara，D. Yokoe，M.Sudo，N. Okada，and K. Tadatomo「Evaluation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping《2015年秋季第76回応用物理学会学術講演会，13p-1D-9，2015.9.13-16，吊古屋国際会議場，愛知県

2014年

  1. 只友一行，岡田成仁，山根啓輔「非極性面GaN基板のHVPE成長とLED応用《日本真空学会 第55回 真空に関する連合講演会，20Aa-10，2014.11.20，大阪府立大学 I-site，大阪府
  2. 塚田哲朗，山根啓輔，岡田成仁，只友一行，立石和隆，岡本晃一「プラズモン効果を目指した薄膜p層を有するInGaN系LEDの作製《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，17a-E13-3，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  3. 上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いた成長条件の最適化による半極性面{11-22}GaNの基底面積層欠陥の低減《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-8，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  4. 稲垣卓志，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-9，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  5. 橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「HVPEの成長条件が厚膜{20-21} GaNの結晶性に与える影響《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-10，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  6. 傳寶裕晶，光井勇祐，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「自立{20-21}GaN基板を用いたInGaN系LED構造の作製《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，20a-PG1-10，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  7. 立山裕基，細川大介，三原練磨，藤井翔，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「歪超格子層の挿入されたInGaN量子井戸構造の微視的発光特性《2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Bp-9，2014.7.26，島根大学松江キャンパス，島根県
  8. 乾隆登，平生英之，田中勇介，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造における発光ダイナミクスの温度依存性《2014年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Bp-8，2014.7.26，島根大学松江キャンパス，島根県
  9. 細川大介，立山裕基，三原練磨，藤井翔，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN 量子井戸構造における暗点近傍の微視的発光分布《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，19p-PB6-14，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  10. 平生英之，乾隆登，田中勇介，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN 量子井戸構造における輻射・非輻射再結合ダイナミクスのIn 組成比依存性《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，19p-PB6-13，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  11. 橋本健宏，稲垣卓志，中尾洸太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「HVPE成長した半極性{20-21} 面GaNと{20-2-1} 面GaNの結晶性比較《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，17p-C5-6，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  12. 江上卓也，山本健志，稲垣卓志，板垣憲広，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，17p-C5-5，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  13. 塚田哲朗，岡田成仁，只友一行，立石和隆，岡本晃一「局在プラズモンを用いたInGaN系LEDの作製と評価《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，19a-C5-5，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  14. 岡田成仁，山田陽一，只友一行「InGaN系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子の周期が光学的特性に与える影響《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，19p-PB6-11，2014.9.17-20，北海道大学，北海道
  15. 岡田成仁，山田陽一，只友一行「InGaN系発光ダイオードにおける発光層直下の超格子が電気的特性に与える影響学的特性に与える影響《2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会，19p-PB6-12，2014.9.17-20，北海道大学，北海道

2013年

  1. 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔, 古家大志, 橋本健宏「HVPEによるサファイア加工基板上への非極性面GaNの厚膜成長《平成24年度 日本学術振興会 第161委員会 第79回研究会「窒化物半導体結晶およびデバイスの最近の進展《,，，2013.1.15-16，ホテルかめ福，山口県
  2. 岡田成仁「非極性面LEDの現状と課題《固体光源分科会，視覚・色・光環境分科会 公開研究会「照明用LEDの開発と応用の最新技術動向《，，2013.1.17，日本大学理工学部，東京都
  3. 井本良，江上卓也，三好清太，岡田成仁，只友一行「CHF3，BCl3誘導結合プラズマを用いたナノパターンサファイア基板のエッチング《IIP2013 情報・知能・精密機器部門（IIP部門）講演会，I-1-3，2013.3.21，東洋大学，東京都
  4. 弘田雄太郎，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「コーン型加工基板上に成長したc面GaNの転位密度の三角格子回転角度依存性《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，27p-G21-8，2013.3.27，神奈川工科大学，神奈川県
  5. 山根啓輔，岡田成仁，只友一行「流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，28a-G21-4，2013.3.28，神奈川工科大学，神奈川県
  6. 古家大士，橋本健宏，上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ストライプ状SiO2マスクを用いた大口径半極性面GaNの高品質化《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，28a-G21-5，2013.3.28，神奈川工科大学，神奈川県
  7. 稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板上半極性面GaNのTEMによる評価《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，28a-G21-6，2013.3.28，神奈川工科大学，神奈川県
  8. Haziq Muhammad，弘田雄太郎，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「InGaN系発光ダイオードの効率改善《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，29p-G21-14，2013.3.29，神奈川工科大学，神奈川県
  9. 中尾洸太，三好清太，内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「半極性面 {11-22} InGaN下地層を用いたLEDにおける下地層膜厚依存性《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，29p-G21-15，2013.3.29，神奈川工科大学，神奈川県
  10. 江上卓也，三好清太，井本良，岡田成仁，只友一行，西宮智靖，平本道広，本山慎一「InGaN-LEDの光出力におけるナノ構造サファイア加工基板のコラム高さ依存性《平成25年春季第60回応用物理学会学術講演会，30p-G21-2，2013.3.30，神奈川工科大学，神奈川県
  11. 山根啓輔，橋本健宏，岡田成仁，只友一行「流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性およびGa原料利用効率の改善《ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会，FR07，2013.6.21-22，大阪大学，大阪府
  12. 弘田雄太郎，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「コーン型加工基板上に成長させたGaNの結晶性に関する研究《ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会，FR08，2013.6.21-22，大阪大学，大阪府
  13. 小山正和，稲垣卓志，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板上{20-21}GaNの積層欠陥の低減《ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会，ST10，2013.6.21-22，大阪大学，大阪府
  14. N. Okada，T. Yamamoto，K. Yamane，and K. Tadatomo「Analysis of surface potential of GaN layers by Kelvin Force Microscopy《32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)，，2013.7.10-12，Shiga
  15. 江上卓也，井本良，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ナノ構造サファイア加工基板上に作製したLEDの発光特性《2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Ep-8，2013.7.27，香川大学，香川県
  16. 稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「HVPE成長したサファイア加工基板上厚膜 {20-21} GaNの積層欠陥の挙動《2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Ba-8，2013.7.27，香川大学，香川県
  17. 山本健志，上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「サファイア基板上のc-GaNの自発分離機構に関する研究《2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Gp-11，2013.7.27，香川大学，香川県
  18. 細川大介，信田真孝，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「青色および緑色発光InGaN量子井戸構造の近接場発光分布《2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Dp-11，2013.7.27，香川大学，香川県
  19. 平生英之，光井一弥，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造の内部量子効率に対する歪超格子挿入効果《2013年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会，Dp-10，2013.7.27，香川大学，香川県
  20. 山根啓輔，橋本健宏，稲垣卓志，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法による自立{20-21}GaN基板の作製とLED応用《2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会，17p-P7-5，2013.9.16-20，同志社大学，京都府
  21. 信田真孝，細川大介，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造における障壁層暗点分布と活性層発光分布の相関《2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会，17p-P7-11，2013.9.16-20，同志社大学，京都府
  22. 橋本健宏，小山正和，稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「サファイア加工基板を用いた{20-21} GaN成長における積層欠陥の抑制《2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会，19p-B5-4，2013.9.16-20，同志社大学，京都府
  23. 光井一弥，平生英之，倉井聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一「InGaN量子井戸構造における内部量子効率のピットサイズ依存性《2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会，19a-B5-9，2013.9.16-20，同志社大学，京都府
  24. 中尾洸太，Muhammad Haziq，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「InGaN下地層および正孔ブロッキング層を用いた半極性 {11-22} LEDの作製及び評価《2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会，19p-B5-15，2013.9.16-20，同志社大学，京都府
  25. 只友一行，岡田成仁，山根啓輔「非極性面GaN基板のHVPE成長とLED応用《日本真空学会 第55回 真空に関する連合講演会，20Aa-10，2014.11.20，大阪府立大学 I-site，大阪府
  26. 塚田哲朗，山根啓輔，岡田成仁，只友一行，立石和隆，岡本晃一「プラズモン効果を目指した薄膜p層を有するInGaN系LEDの作製《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，17a-E13-3，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  27. 上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法を用いた成長条件の最適化による半極性面{11-22}GaNの基底面積層欠陥の低減《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-8，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  28. 稲垣卓志，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-9，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  29. 橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「HVPEの成長条件が厚膜{20-21} GaNの結晶性に与える影響《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，18p-E13-10，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県
  30. 傳寶裕晶，光井勇祐，山根啓輔，岡田成仁，只友一行「自立{20-21}GaN基板を用いたInGaN系LED構造の作製《2014年春季第61回応用物理学会学術講演会，20a-PG1-10，2014.3.17-20，青山学院大学，神奈川県

2012年

  1. 井本良，江上卓也，三好清太，岡田成仁，只友一行：「CHF3，BCl3誘導結合プラズマを用いたナノパターンサファイア基板のエッチング《ＩＩＰ2013 情報・知能・精密機器部門（ＩＩＰ部門）講演会，I-1-3 (2013.3.21) 東洋大学，東京都内田健充，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「緩和した半極性面 {11-22} InGaN上へのLEDの作製《 平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会，14p-H10-5 (2012.9.14) 愛媛大学，愛媛県
  2. 上野元久，石川明，古家大士，山根啓輔，岡田成仁, 只友一行：「ハイドライド気相成長法によるGaNの選択横方向成長《 平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会，13p-H9-6 (2012.9.13) 愛媛大学，愛媛県
  3. 古家大士，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「r面サファイア加工基板を用いた大面積自立{11-22}GaNの作製《平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会，13p-H9-5 (2012.9.13) 愛媛大学，愛媛県
  4. 石川明　山根啓輔　岡田成仁　只友一行：「半極性面GaN中のすべり面による転位の発生《 平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会，12p-H9-20 (2012.9.12) 愛媛大学，愛媛県
  5. 岡田成仁, 上野元久, 内田健充，古家大士, 山根啓輔, 只友一行：「ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化メカニズム《（講演奨励賞受賞記念講演）平成24年秋季第73回応用物理学会関係連合学術講演会， 12p-H9-8 (2012.9.12) 愛媛大学，愛媛県
  6. 古家大士，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「HVPE成長したr面サファイア加工基板上 {11-22} GaN《平成24年応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会，Su-P11 (2012.7.29) 山口大学，山口県
  7. 内田健充，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「 {11-22} InGaN上に作製したLEDの評価《平成24年応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会，Su-P12 (2012.7.29) 山口大学，山口県
  8. 福田雄介，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「 {11-22} InGaN層の選択横方向成長と評価《平成24年応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会，Su-P13 (2012.7.29) 山口大学，山口県
  9. 鶴岡聖也，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「MOVPE成長におけるGaNの大気暴露による影響評価 《2012年度応用物理学会中国四国支部，Ba-5 (2012.7.28) 山口大学，山口県
  10. 福田雄介，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「{11-22}InGaN層の選択横方向成長と評価《2012年度応用物理学会中国四国支部，Ba-6 (2012.7.28) 山口大学，山口県
  11. Muhammad Haziq，弘田雄太郎，三好清太，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「近紫外発光ダイオードの効率改善と評価 《2012年度応用物理学会中国四国支部，Ba-7 (2012.7.28) 山口大学，山口県
  12. 弘田雄太郎，Muhammad Haziq，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを用いたコーン加工基板の形状制御とLEDへの応用 《2012年度応用物理学会中国四国支部，Ba-8 (2012.7.28) 山口大学，山口県
  13. 神田敬浩，安井誠一，岡田成仁，堀田昌志，只友一行：「凹凸界面を持つLED内部における光波伝搬のFDTD解析《平成24年夏季 第59回 応用物理学会中国四国支部学術講演会，Ba-9 (2012.7.28) 山口大学，山口県
  14. 山根啓輔, 上野元久, 内田健充，大下弘康，髙見成希，古家大士, 岡田成仁, 只友一行: 「サファイア加工基板上非極性面GaN厚膜のハイドライド気相成長《第4回窒化物半導体結晶成長講演会, SA-4 (2012.4.28) 東京大学，東京
  15. 岡田成仁，上野元久，内田健充，大下弘康，高見成希,古家大士，山根啓輔，只友一行：「ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化《平成24年秋季第59回応用 物理学会関係連合学術講演会，18a-F12-2 (2012.3.18) 早稲田大学，東京都
  16. 弘田雄太郎，内田聡充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行，中山雅晴：「プラズマ CVD 法を用いた SiOxNy 膜における耐熱性の検討《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,17p-B8-18 (2012.3.17) 早稲田大学，東京都
  17. 福田雄介，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「 {11-22} InGaN 層の選択横方向成《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,17a-A8-1 (2012.3.17) 早稲田大学，東京都
  18. 内田健充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「r 面サファイア加工基板上へ成長した半極性面 {11-22} InGaN 上多重量子井戸層の光学特性《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,15p-F12-17 (2012.3.15) 早稲田大学，東京都
  19. 柏原博之，Haziq Muhammad，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「InGaN 系発光ダイオードにおける InGaN/GaN 歪超格子の検討《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,15p-F12-16 (2012.3.15) 早稲田大学，東京都
  20. 古家大士，岡田成仁，只友一行：「 r 面サファイア加工基板上 {11-22} GaN 成長における転位ブロッキン《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,15p-F11-6 (2012.3.15) 早稲田大学，東京都
  21. 三好清太，内田聡充，山根啓輔，岡田成仁，只友一行：「光取りだし効率に及ぼす InGaN-LED のコーン形状マスク層の屈折率依存性《平成24年春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会,15a-F11-4 (2012.3.15) 早稲田大学，東京都
  22. 山根啓輔，上野元久，古家大士，岡田成仁，只友一行：「ハイドライド気相成長したGaNの熱応力を利用した自発分離《平成24年秋季第59回応用 物理学会関係連合学術講演会，16a-DP-8 (2012.3.16) 早稲田大学，東京都
  23. 河本直哉, 只友一行, 中川豪, 浅野種正: 「ポリカーボネート基板上に形成された多結晶Si薄膜の結晶成長 -DCマグネトロンスパッタリング法による非晶質Siからのレーザ結晶化-《16p-GP5-5 (2012.3.16) 早稲田大学, 東京都

2011年

  1. 山根啓輔, 高見成希, 古家大士, 岡田成仁, 只友一行：「ハイドライド気相成長したサファイア加工基板上{10-11}GaNの結晶性評価《結晶分科会2011年 年末講演会, 講演番号1, 予稿集p.28 (2011.12.15) 学習院大学,東京都
  2. 河本直哉, 只友一行, 部家彰, 松尾直人:「エキシマ・レーザ・アニーリング法によるディスク状多結晶シリコン結晶粒の成長《社団法人日本金属学会2011年秋期講演 (第149回) 大会, (2011.11.9) 沖縄コンベンションセンター,沖縄県
  3. 桑原 崇彰，桑野 範之，栗栖 彰宏，岡田 成仁，只友 一行：「半極性InGaN薄膜内の転位挙動と歪み解析《日本金属学会2011年秋期講演 (第149回)大会，185 (2011.11.7) 沖縄コンベンションセンターおよびカルチャーリゾートフェストーネ，沖縄県
  4. 弘中英夫，下村拓也，倉井　聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一：「半極性・無極性面上に成長されたInGaN量子井戸構造の近接場光学顕微分光《 平成23年秋季第72回応用物理学会関係連合学術講演会，1a-ZE-9 (2011.9.1) 山形大学，山形県
  5. 高見成希，内田聡充，岡田成仁，只友一行：「n面サファイア加工基板上へ成長した半極性 {10-11} GaN上におけるMQWs及びLEDの評価《 平成23年秋季第72回応用物理学会関係連合学術講演会，31a-ZE-15 (2011.8.31) 山形大学，山形県
  6. 内田健充，三好清太，岡田成仁，只友一行：「r面サファイア加工基板上へ成長した半極性面 {11-22} GaN上への緑色発光ダイオードの作製《 平成23年秋季第72回応用物理学会関係連合学術講演会，31a-ZE-14 (2011.8.31) 山形大学，山形県
  7. 岡田 成仁，大下弘康，只友一行：「サファイア加工基板上{20-21} GaNの評価《 平成23年秋季第72回応用物理学会関係連合学術講演会，31a-ZE-13 (2011.8.31) 山形大学，山形県
  8. 山根啓輔，高見成希，古家大士，岡田成仁，只友一行：「n面サファイア加工基板上{10-11}GaNのハイドライド気相成長《 平成23年秋季第72回応用物理学会関係連合学術講演会，30p-ZF-1 (2011.8.30) 山形大学，山形県
  9. 桑原 崇彰，藤田智彰，桑野 範之，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行：「半極性InGaN薄膜内に発生する転位の立体形状観察《第3回窒化物半導体結晶成長講演会，P1-12 (2011.6.17) 九州大学筑紫キャンパス，福岡県
  10. 岡田成仁，只友一行，桑原 崇彰，桑野 範之：「{11-22} GaN上厚膜 {11-22} InGaNのInNモル分率及び膜厚依存性《第3回窒化物半導体結晶成長講演会，P1-7 (2011.6.17) 九州大学筑紫キャンパス，福岡県
  11. 岡田 成仁，栗栖 彰宏，只友 一行，桑原 崇彰, 藤田 智彰, 桑野 範之：「{11-22}GaN上の厚膜InGaNの成長と評価《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，27a-BZ-7 (2011.3.27) 神奈川工科大学，神奈川県
  12. 桑原 崇彰，藤田 智彰，桑野 範之，栗栖 彰宏，岡田 成仁，只友 一行：「半極性InGaN/GaNにおける貫通転位と界面転位の挙動《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，27a-BY-2 (2011.3.27) 神奈川工科大学，神奈川県
  13. 内田 聡充，岡田 成仁，只友 一行，中山 雅晴，揖斐 恒治，渡部 嘉 ：「プラズマCVD法を用いた高耐熱性Si3N4膜の形成《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，27p-BG-3 (2011.3.27) 神奈川工科大学，神奈川県
  14. 高見成希，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行：「n 面サファイア加工基板上の半極性 {10-11} GaN の評価《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，26a-BY-8 (2011.3.26) 神奈川工科大学，神奈川県
  15. 内田健充，栗栖彰宏，柏原博之，三好清太，岡田成仁，只友一行：「r面サファイア加工基板上へ成長した半極性 {11-22} GaN上のMQWsの光学評価《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，26a-BY-7 (2011.3.26) 神奈川工科大学，神奈川県
  16. 古家 大士，岡田 成仁，只友 一行：「浅い溝を有したr 面サファイア加工基板上{11-22}GaN の成長および低転位密度化《 平成22年春季第58回応用物理学会関係連合学術講演会，26a-BY-6 (2011.3.26) 神奈川工科大学，神奈川県
  17. 河本直哉，只友一行，部家彰，松尾直人:「エキシマ・レーザ・アニーリング、並びに固相成長により形成された多結晶Si薄膜の成長《第58回応用物理学関 係連合講演会, 24a-P2-1 (2011.3.24) 神奈川工科大学, 神奈川県
  18. 河本直哉, 只友一行, 今村哲也, 富澤由香, 中川豪, 浅野種正:「ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜の成長 -固相成長の観点から-《 第58回応用物理学関係連合講演会, 24p-BK-6 (2011.3.24) 神奈川工科大学, 神奈川県

2010年

  1. 伊藤一希, 今村哲也, 中川豪, 河本直哉, 富澤由香, 浅野種正, 只友一行:「ポリカーボネート基板上における低温多結晶シリコン薄膜の成長とその解析《 平成22年度 電気・情報関連学会中国支部連合大会, (2010.10.23) 岡山県立大学, 岡山県
  2. 白井洋行, 河本直哉, 部家彰, 三好正毅, 松尾直人, 只友一行: 「多結晶シリコン結晶粒成長における核生成の効果《平成22年度 電気・情報関連学会中国支部連合大会, (2010.10.23) 岡山県立大学, 岡山県
  3. 品川 拓，岡田 成仁，只友一行，谷口豊，田村裕宣，丸野 敦紀，平本 道広：「柱状のナノ周期パターンを有する加工基板上に作製した発光ダイオード―発光出力に対する柱の高さ依存性―《平成22年秋季第71回応用物理学会関係連合学術講演会，15p-B-19(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  4. 内田聡充, 阿部結樹，岡田成仁，只友一行，揖斐恒治，渡部嘉：「光取り出し効率に及ぼすInGaN-LEDのストライプ形状マスク層の屈折率依存性《 平成22年秋季第71回応用物理学会関係連合学術講演会，15p-B-18(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  5. 田渕慎一，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行：「サファイア加工基板上へ成長した非極性面GaN を用いたLED の作製《平成22年秋季第71回応用物理学会学術講演会，15p-B-16(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  6. 古家大士，岡田成仁，只友一行：「サファイア基板の浅いエッチングによるGaNの選択成長《平成22年秋季第71回応用物理学会学術講演会，15p-C-11(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  7. 大下弘康, 阿部結樹，岡田成仁，只友一行：「窒化処理を用いたサファイア加工基板上の非極性GaNの成長《平成22年秋季第71回応用物理学会関係連合学術講演会，15p-C-10(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  8. 髙見成希，栗栖彰宏，阿部結樹，岡田成仁，只友一行，梅原幹裕，井原俊之，坪倉理，藤田航：「オフ角の付いたn面サファイア加工基板上におけるInGaN量子井戸からの多色発光《 平成22年秋季第71回応用物理学会学術講演会，15a-C-6(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  9. 栗栖彰宏，阿部結樹，岡田成仁，只友一行：「r面サファイア加工基板上へ成長した｛11-22｝GaN上への厚膜InGaNの成長《平成22年秋季第71回応用物理学会学術講演会，15a-C-4(2010.9.15) 長崎大学，長崎県
  10. 中川豪, 河本直哉, 今村哲也, 富澤由香, 三好正毅, 只友一行, 浅野種正 「135℃以下の低温プロセスによるポリカーボネート基板上へのpoly-Si TFTの作製《 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-15, (2010.9.15) 長崎大学, 長崎県
  11. 河本直哉，今村哲也，富澤由香，只友一行，三好正毅: 「ポリカーボネート基板上における多結晶シリコン薄膜のレーザ波長依存性《 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-ZD-6,（2010.10.15）長崎大学, 長崎県
  12. 岡田成仁，大下弘康，髙見成希，栗栖彰宏，只友一行：「Optimal growth condition of nonpolar and semipolar GaN by selective area growth from sapphire sidewall in patterned sapphire substrate《第29回電子材料シンポジウム（EMS-29），Fr1-8（2010.7.16）ラフォーレ修善寺，静岡県
  13. 岡田成仁，髙見成希，宮武敬彰，只友一行：「異種面で構成された窒化物半導体上の多重量子井戸の評価《窒化物結晶成長講演会2010，SA09 (2010.5.15) 三重大学，三重県
  14. 阿部結樹，岡田成仁，只友一行，揖斐恒治，渡部嘉：「厚膜SiOxNyマスク用いたInGaN-LEDの光取り出し効率に及ぼすマスク層の屈折率依存性 《平成22年春季第57回応用物理学会関係連合学術講演会，19p-TB-11(2010.3.19) 東海大学，神奈川県
  15. 岡田成仁，大下弘康，栗栖彰宏，川嶋佑治，只友一行：「窒化処理を行ったサファイア加工基板上GaNの側壁選択成長《平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TC-11 (2010.3.18) 東海大学, 神奈川県
  16. 大下弘康，阿部結樹，村上一馬，岡田成仁，只友一行：「マスクレスm面サファイア加工基板上の非極性GaNの成長《平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TC-10 (2010.3.18) 東海大学, 神奈川県
  17. 髙見成希，栗栖彰宏，村上一馬，岡田成仁，只友一行：「n面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性{10-11}面GaN選択横方向成長《平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TC-9 (2010.3.18) 東海大学, 神奈川県
  18. 栗栖彰宏，村上一馬，阿部結樹，品川拓，岡田成仁，只友一行：「テラス幅の広いr面サファイア加工基板を用いた (11-22) GaNの成長《平成22年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 18a-TC-8 (2010.3.18) 東海大学, 神奈川県
  19. 宮武敬彰, 藤田大輔, 品川拓, 李伯成, 岡田成仁, 只友一行 : 「緩和したInGaN上へのInGaN/GaN多重量子井戸層の成長《 平成22 年春季第57 回応用物理学関係連合講演会 , 18a-TC-5 (2010,03,18) 東海大学, 神奈川県

2009年

  1. 品川 拓，阿部 結樹，松本 大志，李 伯成，村上 一馬，岡田 成仁，只友 一行，甘中 将人，藤井 秀夫：「熱リソグラフィー法によりナノ周期パターンを形成したサファイア加工基板上の発光ダイオード特性《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-26（2009.11.21-22）
  2. 宮武 敬彰，藤田 大輔，品川 拓，李 伯成，岡田 成仁，只友 一行：「(11-22)ファセット面を用いたInGaN厚膜成長《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-25（2009.11.21-22）
  3. 阿部結樹，村上一馬，岡田成仁，只友一行，Huang-Choung Chang，渡邉一弘：「ランダムドームサファイア加工基板上に作製したInGaN系発光ダイオードのドーム密度依存性《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-22（2009.11.21-22）
  4. 田渕慎一，李伯成，岡田成仁，只友一行，万行大貴，小林芳彦，小野浩之，池永和正，矢野良樹，松本功:「有機金属気相成長法によるInGaN系発光ダイオードに及ぼすNH3ガス中の上純物の影響《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-19（2009.11.21-22）
  5. 大下弘康，川嶋佑治，村上一馬，李伯成，岡田 成仁，只友 一行：「a 面サファイア加工基板上に成長するm 面GaN の成長条件依存性《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-10（2009.11.21-22）
  6. 内田聡充，松本大志，岡田 成仁，只友 一行：「薄膜SiO2マスク付きストライプ型サファイア加工基板を用いた高出力InGaN 発光ダイオードの作製《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-09（2009.11.21-22）
  7. 高見成希，栗栖彰宏，村上一馬，李伯成，松本大志，岡田 成仁，只友 一行:「r面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性(11-22)GaN選択横方向成長《平成21年第11回IEEE広島支部学生シンポジウム，B-08（2009.11.21-22）
  8. 岡田成仁，大下弘康，栗栖彰宏，川嶋佑治，只友一行：「様々なマスクレス加工基板上の非極性面GaNの成長機構《第39回結晶成長国内会議（NCCG-39），14pA05 (2009.11.14)
  9. 品川拓, 阿部結樹, 松本大志, 李伯成, 村上一馬, 岡田成仁, 只友一行, 甘中 将人, 藤井 秀夫:「熱リソグラフィ法によりナノ周期パターンを形成したサファイア加工基板上のLED特性《平成21年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 11a-X-7 (2009.9.11)
  10. 藤田大輔、宮武敬彰、品川拓、阿部結樹、村上一馬、李伯成、松本大志、岡田成仁、只友一行：「(11-22)GaNファセット上の厚膜InGaN成長(2)《～マストランスポートによる平坦化～《平成21年秋季第70回応用物理学関係連合講演会, 10p-X-5 (2009.9.10)
  11. 岡田成仁、宮武敬彰、藤田大輔、只友一行：「(11-22) GaNファセット上の厚膜InGaN成長《平成21年秋季第70回応用物理学関係連合講演会, 10p-X-4 (2009.9.10)
  12. 川嶋佑治，村上一馬，阿部結樹，栗栖彰宏，岡田成仁，只友一行：「マスクレスサファイア加工基板上の非極性GaNの成長メカニズム《平成21年秋季第70回応用物理学会学術講演会，10p-X-2 (2009.9.10)
  13. 栗栖彰宏，村上一馬，阿部結樹，松本大志，品川拓，岡田成仁，只友一行: 「半極性(11-22) GaN成長におけるr面サファイア加工基板のオフ角の最適化《第70回応用物理学会学術講演会，10p-X-1 (2009.9.10)
  14. 岡田成仁，藤田大輔, 宮武敬彰、李　伯成, 村上一馬, 只友一行:「Thick InGaN growth on c-plane sapphire substrate《平成21年第一回窒化物半導体結晶成長講演会 (2009.5.15)
  15. 松本大志，村田徹，石田文男，河野創一郎，光井靖智，岡田成仁，只友一行:「SiO2マスク付きストライプ型サファイア加工基板を用いた高出力InGaN LEDの作製《平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-8 (2009.4.1)
  16. 村上一馬，村田徹，石田文男，河野創一郎，光井靖智，岡田成仁，只友一行，H.-C. Chang，渡邉一弘 :「ランダムコーンサファイア加工基板上に作製したInGaN-LEDのコーン密度依存性《平成21年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-7(2009.4.1)
  17. 趙佳薇，石田文男，河野創一郎，村上一馬，李伯成，岡田成仁，只友一行：「ナノコーンを有したサファイア加工基板上へのGaN成長とLEDの製作《平成21年春季第56回応用物理学会関係連合講演会,1p-ZJ-6(2009.4.1)
  18. 李伯成，岡田成仁，只友一行，万行大貴，小林芳彦，小野宏之，池永和正，矢野良樹， 松本功：「有機金属気相成長法によるInGaN系発光ダイオードに及ぼすNH3ガス中の上純物の影響《 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-3 (2009.4.1)
  19. 栗栖彰宏，南　雅博，河野創一郎，石田文男，光井靖智，村上一馬，李　伯成，松本大志，岡田成仁，只友一行：「r面サファイア加工基板上c面側壁からの半極性(11-22)GaN選択横方向成長とLEDへの応用《平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会，1p-ZJ-13 (2009.4.1)
  20. 室谷英彰，黒中貴裕，山田陽一，田口常正，岡田成仁，天野　浩：「AlN薄膜における反射スペクトルの温度依存性《平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会，1a-ZJ-22(2009.4.1)
  21. 川嶋佑治，村上一馬，李伯成，河野創一郎，石田文男，岡田成仁，只友一行:「a面サファイア加工基板上に成長するm面GaNの成長配向依存性《平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZJ-21 (2009.3.30)

2008年

  1. 藤田大輔，村田徹，河野創一郎，石田文男，光井靖智，岡田成仁，只友一行:　「a面サファイア基板上に作製した高光取り出し効率を有する平行四辺形断面形状LED《平成20年秋季第69回応用物理学関係連合講演会, 5a-CA-1 (2008.9.5)
  2. 川嶋佑治，村上一馬，松本大志，李伯成，河野創一郎，光井靖智，石田文男， 岡田成仁，只友一行:　「側壁選択横方向成長を用いたa面サファイア加工基板上のm面GaN成長《平成20年秋季第69回応用物理学関係連合講演会, 3P-CA-6(2008.9.3)
  3. 村田　徹， 岡田　成仁， 只友　一行，Huang-Choung Chang, 渡邉一弘:　「ランダムコーンサファイア加工基板上へのMOVPE GaN成長《平成20年秋季第69回応用物理学関係連合講演会, 2a-CA-9 (2008.9.2)
  4. 光井靖智, 松本大志, 村山悟, 只友一行“ITO二層構造を有したGaN系LEDのp-電極 (2)” 2008（平成20）年 春季第55回応用物理学関係連合講演会p. 415, 30a-B-2日本大学, 千葉県, 2008年3月
  5. 河野創一郎, 村上一馬, 村田徹, 松永泰彦, 星野勝之, 只友一行“ストライプ加工基板上に作製したInGaN系LEDの溝幅およびストライプ周期依存性” 2008（平成20）年 春季第55回応用物理学関係連合講演会p. 416, 30a-B-4日本大学, 千葉県, 2008年3月
  6. 石田文男, 只友一行, 万行大貴, 小林芳彦, 小野浩之, 池永和正, 矢野良樹, 松本功“有機金属気相成長法によるInGaN系発光ダイオードに及ぼすNH3ガス中の水分の影響” 2008（平成20）年 春季第55回応用物理学関係連合講演会p. 419, 30p-B-3日本大学, 千葉県, 2008年3月
  7. 藤田大輔, 中村晃子, 星野勝行, 只友一行“MOVPE法によりa面サファイア基板上に作製したc面InGaN-LED” 2008（平成20）年 春季第55回応用物理学関係連合講演会p. 420, 30p-B-4日本大学, 千葉県, 2008年3月
  8. 山口一春, 戸田泰則, 足立智, 石黒哲郎, 星野勝之, 只友一行“四光波混合分光によるGaN励起子間相互作用の空間特性の観測” 2008（平成20）年 春季第55回応用物理学関係連合講演会p. 1139, 29p-ZX-5日本大学, 千葉県, 2008年3月

2007年

  1. 中村晃子, 柳田直人, 村田徹, 星野勝之, 只友一行“GaN成長前のサファイア基板のサーマルクリーニングの効果” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p.376，6p-Zs-19北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  2. 村田徹, 星野勝之, 只友一行“MOVPE成長InGaNにおけるc面サファイア微傾斜基板の傾斜方向依存性” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p.376，6p-Zs-20北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  3. 光井靖智, 石田文男, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行“ITO二層構造を有したGaN系LEDのp-電極” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p.393，8a-ZR-2北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  4. 河野創一郎, 星野勝之, 只友一行“加工基板上に作製したInGaN系LEDのストライプ周期依存性” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p.393，8a-ZR-4北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  5. 星野勝之, 村田徹, 荒木正浩, 只友一行“厚膜SiO2パターニングを施したサファイア基板を用いたGaInN系LED作製” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p. 394, 8a-ZR-5北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  6. 山口一春, 戸田泰則, 足立智, 石黒哲郎, 星野勝之, 只友一行“GaN薄膜における励起子位相緩和の空間分解測定” 2007年（平成19年） 秋季第68回応用物理学会学術講演会p. 1458, 4a-ZK-3北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  7. 戸田泰則, 石黒哲郎, 足立智, 只友一行, 星野勝之, 荒川泰彦　“エピタキシャル成長GaN薄膜の高精度一軸歪計測” 2007年（平成19年）秋季第68回応用物理学会学術講演会p. 1458, 4a-ZK-4北海道工業大学, 北海道, 2007年9月
  8. 星野勝之, 荒木正浩, 只友一行　“MOVPE法によるサファイア凹凸加工基板上へのGaN選択成長” 2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会p.403,29-ZN-5青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  9. 石田文男, 光井靖智, 野田宏路, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行　“InGaN-LEDの光取り出し効率に対するITO透明電極の表面ラフネス効果” 2007年（平成19年） 春季第54回応用物理学関係連合講演会p1483, 27a-SM-青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  10. 南雅博, 持溝典昭, 荒木正浩, 星野勝之, 只友一行　“MOVPE成長a面GaN薄膜におけるr面サファイア基板のオフ角依存性” 2007年（平成19年） 春季第54回応用物理学関係連合講演会p.399,29a-ZM-6青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  11. 村田徹, 柳田直人, 星野勝之, 只友一行　“MOVPE成長InGaNにおける(0001)サファイア基板のオフ角依存性” 2007年（平成19年）春季第54回応用物理学関係連合講演会p.403,29p-AN-6青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  12. 平岡正紘, 野田宏路, 河野創一郎, 堀口智宏, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行　“加工基板上に作製したInGaN系LEDにおける加工形状効果” 2007年（平成19年） 春季第54回応用物理学関係連合講演会p.413,30a-ZM-2青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  13. 中村晃子, 下池修, 柳田直人, 野田宏路, 平岡正紘, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行“GaN系LEDにおける(0001)サファイア基板のオフ角の影響” 2007年（平成19年） 春季第54回応用物理学関係連合講演会p.413,30a-ZM-3青山学院大 学, 神奈川県, 2007年3月
  14. 只友一行, 星野勝之, “窒化物半導体の結晶成長と発光デバイス”, 応用物理学会北海道支部講演会北海道大学, 札幌市, 2007年3月
  15. 只友一行, 星野勝之, “蛍光体励起用高効率発光ダイオードのエピタキシャル成長とデバイス作製”, 日本学術振興会 ワイドバンドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会 第51回研究会, 第51回研究会資料 pp. 1-4東京都, 2007年3月

2006年

  1. 下池修, 野田宏路, 平岡正紘, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行, “GaN系LEDにおけるPLおよびELマッピング特性の相関”, 2006 年(平成18 年 )秋季 第67回応用物理学会学術講演会p.358, 3a-E-10立命館大学, 滋賀県, 2006年8月
  2. 持溝典昭, 荒木正浩, 星野勝之, 只友一行“MOVPEによるr面サファイア基板上a面GaNの２段階成長” 2006 年(平成18 年 )秋季 第67回応用物理学会学術講演会p.348, 31a-E-6立命館大学, 滋賀県, 2006年8月
  3. 荒木正浩, 持溝典昭, 星野勝之, 只友一行, “MOVPEによるダイレクトa面GaN成長”, 2006 年(平成18 年 )秋季 第67回応用物理学会学術講演会p.348, 31a-E-5立命館大学, 滋賀県, 2006年8月
  4. 柳田直人, 星野勝之, 只友一行, “MOVPE成長GaNにおける (0001) 面サファイア基板のオフ角の検討” 2006 年(平成18 年 )秋季 第67回応用物理学会学術講演会p.348, 31a-E-4立命館大学, 滋賀県, 2006年8月
  5. 平岡正紘, 吉村和正, 星野勝之, 只友一行, “エッチング加工を施したサファイア基板上へのGaNのMOVPE成長” 2006 年(平成18 年 )秋季 第67回応用物理学会学術講演会p.347, 31a-E-3立命館大学, 滋賀県, 2006年8月
  6. 柳田直人, 荒木正浩, 星野勝之, 只友一行, “MOVPE成長GaNにおける低温成長GaN緩衝層の影響” 2006年 (平成18年)春季 第53回応用物理学関係連合講演会p.399, 26a-ZF-3武蔵工業大学, 東京都, 2006年3月

2005年

  1. 秋田直哉, 星野勝之, 只友一行, “近紫外LED励起4波長蛍光体型白色LEDの波長変換効率の解析” 2005 年(平成17年)秋季 第66回応用物理学会学術講演会p.1265, 7a-K-5. 徳島大学, 徳島県, 2005年9月