Yamaguchi Univeristy, Graduate School of Sciences and Technology for Innovation

2019年度 研究室メンバー

教授
只友 一行
准教授
岡田 成仁
技術職員
河本 直哉
研究員
井本 良
幸 康一郎
M2
磯野竜弥
板倉秀之
猪股祐貴
金輝俊
重藤祐輔
澄川雄太
日高遼太
M1
伊藤忠寿
金子拓司
河村澪
斉藤 貴大
坂本 凌太
新宮 章吾
野村 俊文
B4
安高 和哉
岩崎 直矢
垣内 寿蘭
加納宗一郎
川村洋史
田村元希
中村 亮太
藤井 智也
秘書
岡田 成仁
只友 一行 教授
連絡先: tadatomo☆yamaguchi-u.ac.jp(☆はアットマーク)

これまでにやってきた仕事、実績や業績

  • GaAs系、AlInGaP系、InGaN系LED(Light Emitting Diodes)の開発
  • LPE、MOVPEなどの結晶成長技術およびデバイス作製技術の開発
  • InGaN系近紫外LEDでは世界最高クラスの外部量子効率(50%)を達成

現在、進行中もしくは計画中の仕事や研究の内容

  • 窒化物半導体デバイス(LED)を中心にした物作り技術の開発
  • MOVPEによる結晶成長技術の研究
  • 窒化物半導体用の電極技術の研究
  • ドライエッチング技術の研究

将来、可能ならばやってみたい仕事

  • ダイヤモンドの結晶成長、および発光素子への応用など
  • フォトニック結晶の作製技術および発光素子への応用
岡田 成仁 准教授
連絡先: nokada☆yamaguchi-u.ac.jp (☆はアットマーク)

これまでにやってきた仕事

  • 高温MOVPE法による窒化アルミニウムの結晶成長
  • InGaN系(近紫外線~緑色)LEDの高効率化
  • サファイア加工基板上非極性面GaNのMOVPE、HVPE成長
  • 非極性面LEDの開発
  • GaN系HFETの基礎実験
  • プラズモニックLED
  • N面AlGaN/AlN構造HEMTの開発

今後挑戦したいこと

  • 新たな格子不整合系材料の成長
  • 海外武者修行

モットー

楽しく、バランスが大切。

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